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低溫等離子法提高芳綸布與硅橡膠粘接性能的研究

來(lái)源:印染在線 發(fā)布時(shí)間:2012年05月17日

 

由表1可知,經(jīng)低溫等離子處理后,一C=O和一C H 一等基團(tuán)與纖維自身的基團(tuán)相吻合,但增加了~COH基團(tuán),這一基團(tuán)提高了芳綸纖維的表面活性,對(duì)于提高芳綸布與橡膠的粘接性是有利的。
 

2.2 F丁一IR分析
 

i  為了進(jìn)一步了解低溫等離子處理前后芳綸布表面基團(tuán)蠻 的變化情況,對(duì)處理前后的芳綸布進(jìn)行了FT—IR分析,見(jiàn)圖1(等離子處理時(shí)間為1 0 min)。

對(duì)比2圖可知,除了在3 300 cm。。的吸收峰有明顯差異外,2曲線 幾乎相同。3 41 5 cm。。和1 525 cm 的吸收峰是由仲酰胺的N—H彎曲振動(dòng)形成的,1 655 cm。 的吸收峰為仲酰胺的C=O伸縮振動(dòng)峰,1 300 cm 的弱峰為仲酰胺的C;N吸收峰,1 275~960 cm 間的吸收峰和900 cm。‘以下的吸收峰是由芳環(huán)取代而形成的。處理后的FT—IR圖在3 300 cm。 吸收峰處強(qiáng)度有了很大幅度的提高,這一吸收峰的出現(xiàn)表明等離子處理后,芳綸布表面引入了一0H。芳綸布在等離子處理過(guò)程中,活性粒子轟擊芳綸纖維表面,使其表面化學(xué)鍵打開(kāi)并與等離子體中的氨、氧等自由基結(jié)合,可能形成一OH、一CO0H、一NH,等活性基團(tuán)。 本實(shí)驗(yàn)中芳綸表面只形成了一OH可能是受處理?xiàng)l件影響,沒(méi)有足夠的能量活化N,或使一OH進(jìn)一步氧化為一C00H。
 

2.2芳綸纖維表面形態(tài)
 

芳綸纖維在不同處理時(shí)間條件下表面形貌的SEM照片,見(jiàn)圖2。
 

圖2-a中,芳綸纖維表面有很多毛邊和雜物,其實(shí)質(zhì)為芳綸纖維紡絲和芳綸布預(yù)處理過(guò)程中,纖維表面吸附的處理液、灰塵等雜物。圖2一b,C,d表面均無(wú)明顯雜質(zhì),這是由于等離子處理過(guò)程中,吸附物脫落。E]2-b~,纖維表面的缺陷不明顯,但隨著處理時(shí)間的延長(zhǎng),纖維表面的缺陷開(kāi)始增多,其表面粗糙度逐步增加,如圖2一c:~ndqh箭頭所指。當(dāng)處理時(shí)間延長(zhǎng)到2O min1]~,纖維表面的缺陷又減小。這是由于時(shí)間過(guò)長(zhǎng)反而使纖維表面的缺陷被等離子轟擊掉,從而使纖維表面又變得光滑。

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