由圖3、圖4可以看出，ATO粉體中，在530.9eV和540.2eV左右處分別是Sb3d5／2和Sb3d5／2電子峰位，與Sn3d5中的Sb5+價態(tài)相對應，說明ATO粉體中含有Sn2d5；A70整理滌綸織物中，在532.4eV和541.9eV左右分別是Sb3d5／2和Sb3d5／2電子峰位，與Sb2O5中的Sb5+價態(tài)相對應，由此可證實Sb離子主要以+5價形式存在．結合ATO的結構可以發(fā)現(xiàn)：Sb離子的摻雜是一種施主雜質，當Sb5+以替代形式占據(jù)Sb4+的位置時，由于不符合化學計量比，產(chǎn)生多余電子，這種電子受到的束縛作用相當弱，能夠在晶體中自由運動，從而形成自由載流子，使SnO2具有n-型半導體性質，從而使導電性增大。由此可見，ATO粉體整理滌綸織物的抗靜電性主要是由電子導電所致，而電子導電與外界環(huán)境空氣濕度無關．
3結論
采用納米ATO粉體對滌綸織物進行后整理可提高織物的抗靜電性能．在抗靜電整理的過程中，納米ATO質量濃度的影響最為顯著．最優(yōu)整理工藝：納米ATO質量濃度為100g／L，粘合劑質量濃度為20g／L，軋液率為100％．納米ATO粉體整理滌綸織物的抗靜電
性主要是電子導電所致，其不受環(huán)境濕度影響．
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